机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2006 [1]
• 1997 [3]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1484324B, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19 作者:  山中贞则;  土田良彦;  小野善伸;  家近泰   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN100547734C, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 2009-10-07 作者:  平松和政;  三宅秀人;  土田良彦;  小野善伸;  西川直宏   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化镓单晶基板及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1759469A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12 作者:  平松和政;  三宅秀人;  坊山晋也;  前田尚良;  小野善伸   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 3-5族化合物半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997008355A, 申请日期: 1997-01-10, 公开日期: 1997-01-10 作者:  家近 泰;  小野 善伸;  高田 朋幸   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 3-5族化合物半導体用電極の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997008356A, 申请日期: 1997-01-10, 公开日期: 1997-01-10 作者:  家近 泰;  小野 善伸;  高田 朋幸   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/12/31 3-5族化合物半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997008350A, 申请日期: 1997-01-10, 公开日期: 1997-01-10 作者:  家近 泰;  小野 善伸;  高田 朋幸   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13