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• 西安光学精密机械研究... [9]

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• 专利 [9]

发表日期

• 2018 [1]
• 2007 [1]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 面発光レーザーおよび原子発振器 专利  OAI收割 专利号: JP6274404B2, 申请日期: 2018-01-19, 公开日期: 2018-02-07 作者:  竹中 敏;  倉知 祐司;  小野 昭次   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 画像記録装置 专利  OAI收割 专利号: JP2005040998A, 申请日期: 2005-02-17, 公开日期: 2005-02-17 作者:  加藤 昌法;  水本 学;  小野 司   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 冷却装置 专利  OAI收割 专利号: JP2004257649A, 申请日期: 2004-09-16, 公开日期: 2004-09-16 作者:  小野 司   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2004207682A, 申请日期: 2004-07-22, 公开日期: 2004-07-22 作者:  竹見 政義;  小野 健一;  花巻 吉彦;  綿谷 力;  八木 哲哉   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999243251A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07 作者:  笹沼 克信;  斎藤 真司;  波多腰 玄一;  西尾 譲司;  小野村 正明   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998154851A, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09 作者:  斎 藤 真 司;  小野村 正 明;  ジョン レニー;  波多腰 玄 一;  藤 本 英 俊   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1994350202A, 申请日期: 1994-12-22, 公开日期: 1994-12-22 作者:  小野 玲司   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ光源ユニット 专利  OAI收割 专利号: JP1994123851A, 申请日期: 1994-05-06, 公开日期: 1994-05-06 作者:  緒方 司郎;  伊藤 嘉則;  村上 正典;  濱田 明佳;  中村 弘   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30