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Prospects for a multi-TeV gamma-ray sky survey with the LHAASO water Cherenkov detector array
期刊论文
OAI收割
中国物理C:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 006, 页码: 123
作者:
FAharonian
;
VAlekseenko
;
An Q(安琪)
;
Axikegu
;
Bai LX(白立新)
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提交时间:2021/12/06
TeVγ-ray
astronomy
observational
prospect
LHAASO-WCDA
半导体器件制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310309151.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-02-04
作者:
秦长亮
;
尹海洲
;
唐兆云
;
李俊峰
;
赵超
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提交时间:2019/03/22
一种FINFET结构及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410573220.3, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-05-18
作者:
刘云飞
;
尹海洲
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提交时间:2019/03/22
一种FinFET结构及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410459571.1, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者:
尹海洲
;
刘云飞
;
李睿
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提交时间:2019/03/22
一种CMOS结构及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410459563.7, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者:
李睿
;
刘云飞
;
尹海洲
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提交时间:2019/03/22
一种FinFET结构及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410459357.6, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-04-06
作者:
李睿
;
尹海洲
;
刘云飞
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提交时间:2019/03/21
一种FinFET制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410185066.2, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2015-11-25
作者:
张珂珂
;
尹海洲
;
刘云飞
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提交时间:2019/03/21
Surface tension driven aggregation of organic nanowires via lab in a droplet
期刊论文
OAI收割
NANOSCALE, 2018, 卷号: 10, 期号: 23, 页码: 11006-11012
作者:
Gu, Jianmin
;
Yin, Baipeng
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提交时间:2019/04/09
一种MOSFET结构及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310480377.7, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2015-04-29
作者:
尹海洲
;
李睿
;
刘云飞
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提交时间:2019/03/19
一种MOS晶体管的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310713804.1, 申请日期: 2018-03-16, 公开日期: 2015-06-24
作者:
刘云飞
;
尹海洲
;
李睿
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提交时间:2019/03/14