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西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2017 [1]
2010 [2]
2007 [1]
2002 [1]
1996 [2]
1995 [1]
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薄膜形成装置およびこの薄膜形成装置を用いたアパタイト薄膜形成方法
专利
OAI收割
专利号: JP6243678B2, 申请日期: 2017-11-17, 公开日期: 2017-12-06
作者:
本津 茂樹
;
西川 博昭
;
楠 正暢
;
吉川 一志
;
山本 一世
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提交时间:2019/12/23
光ヘッド装置、受光素子、集積回路、光集積素子、光ディスク装置および信号検出方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010267348A, 申请日期: 2010-11-25, 公开日期: 2010-11-25
作者:
山本 博昭
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提交时间:2019/12/31
光ヘッド装置及びホログラム素子
专利
OAI收割
专利号: JP2010003371A, 申请日期: 2010-01-07, 公开日期: 2010-01-07
作者:
山本 博昭
;
西本 雅彦
;
中西 直樹
;
島田 直人
;
奥田 拓也
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提交时间:2019/12/31
光半導体装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2007004900A, 申请日期: 2007-01-11, 公开日期: 2007-01-11
作者:
中西 直樹
;
濱口 真一
;
山本 博昭
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提交时间:2020/01/13
光学素子、光源装置、光ヘッド装置および光情報処理装置
专利
OAI收割
专利号: JP2002015448A, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-01-18
作者:
山本 博昭
;
林 秀樹
;
門脇 慎一
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1996028547B2, 申请日期: 1996-03-21, 公开日期: 1996-03-21
作者:
広瀬 正則
;
▲吉▼川 昭男
;
粂 雅博
;
山本 敦也
;
中村 晃
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提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザ装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996004176B2, 申请日期: 1996-01-17, 公开日期: 1996-01-17
作者:
芹澤 晧元
;
堀 義和
;
松井 康
;
宇野 智昭
;
雄谷 順
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提交时间:2020/01/18
貼合せ半導体ウェハとその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995086539A, 申请日期: 1995-03-31, 公开日期: 1995-03-31
作者:
山本 博昭
;
植村 訓之
;
河野 光雄
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提交时间:2019/12/30
レーザ光源
专利
OAI收割
专利号: JP1993066440A, 申请日期: 1993-03-19, 公开日期: 1993-03-19
作者:
山本 博昭
;
山本 和久
;
水内 公典
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提交时间:2020/01/13