机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [2]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2000 [1]
• 1994 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1581610B, 申请日期: 2012-04-11, 公开日期: 2012-04-11 作者:  神川刚;  山田英司;  荒木正浩;  金子佳加   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102280817A, 申请日期: 2011-12-14, 公开日期: 2011-12-14 作者:  山田英司   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101540477B, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15 作者:  山田英司;  神川刚;  荒木正浩   |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101119012A, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2008-02-06 作者:  神川刚;  山田英司;  荒木正浩   |  收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2020/01/18 制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1758419A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12 作者:  荒木正浩;  山田英司;  汤浅贵之;  津田有三;  阿久津仲男   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000196143A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14 作者:  種谷 元隆;  神川 剛;  毛利 裕一;  近藤 雅文;  山田 英司   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ用パッケージ 专利  OAI收割 专利号: JP1994005990A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14 作者:  石黒 敬英;  大塚 尚孝;  森本 泰司;  山田 茂博   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13