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半導体レーザ装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3523432B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-26
作者:  
斉藤 肇;  池田 裕章
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000223778A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11
作者:  
大久保 伸洋;  斉藤 肇
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999074603A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者:  
斉藤 肇
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998294534A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
作者:  
斉藤 肇;  松本 晃広
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997069667A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:  
斉藤 肇;  辰巳 正毅
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18