机构

• 合肥物质科学研究院 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 专利 [1]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [3]
• 2008 [1]
• 2007 [2]

学科主题

• 纳米科技与材料物理:... [3]
• 纳米科技与材料物理:... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 超薄 GaMnAs 外延膜空穴浓度和应变弛豫研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2011 作者:  史同飞 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/10/09 GaMnAs薄膜制备及GaMnAs/NPB异质结物理性质研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009 曹先存 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/10/14 杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究 期刊论文  OAI收割 光散射学报, 2009, 卷号: 021 作者:  钟玉杰;  程顺昌;  苏平;  龚敏;  石瑞英   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/11/25 GaMnAs缺陷  红外光谱  光电导   杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究 期刊论文  OAI收割 光散射学报, 2009, 卷号: 021 作者:  钟玉杰;  程顺昌;  苏平;  龚敏;  石瑞英   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/11/25 GaMnAs缺陷  红外光谱  光电导   超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101311300, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10 邱凯; 韩奇峰; 姬长建; 曹先存; 段铖宏; 尹志军; 李新化; 王玉琦 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2009/11/10 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 期号: 8 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2009/10/20 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 028 作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/11/25 调制中断  表面形貌  GaN薄膜