机构

• 半导体研究所 [6]
• 物理研究所 [1]
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• 上海微系统与信息技术... [1]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 成果 [4]

发表日期

• 1999 [2]
• 1998 [1]
• 1992 [1]
• 1991 [1]
• 1990 [1]
• 1986 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [6]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 砷化镓晶片表面损伤层分析 期刊论文  OAI收割 稀有金属, 1999, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 241 郑红军; 卜俊鹏; 曹福年; 白玉柯; 吴让元; 惠峰; 何宏家 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 1999, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 111 郑红军; 卜俊鹏; 何宏家; 吴让元; 曹福年; 白玉珂; 惠峰 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/11/23 X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 635 曹福年; 卜俊鹏; 吴让元; 郑红军; 惠峰; 白玉珂; 刘明焦; 何宏家 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 热解氮化硼大口径坩埚及其在半导体工业中的应用 成果  OAI收割 1992 赵凤鸣; 何宏家; 夏德谦; 王勇; 刘同顺; 曹福年; 陈宏毅; 梁宗俊; 姜维新; 朱自明; 李伟; 谢自力; 程其祥; 隆雅琴; 陈宏亮 收藏  |  浏览/下载：137/0  |  提交时间：2013/07/24 大尺度  砷化镓  单晶制备  生产工艺  坩埚  氮化硼陶瓷  高温陶瓷   集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究 成果  OAI收割 院科技进步奖: 三等奖, 1991 林兰英; 何宏家; 刘巽琅; 曹福年; 白玉珂 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/04/13 半绝缘砷化镓   氚离子束标记新技术 期刊论文  OAI收割 核技术, 1990, 期号: 10 张年宝; 盛树刚; 要福增; 谢炳华; 周美英; 曹蓉珍; 俞斌伟; 钟德松; 秦锐芳; 王国平 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2013/01/23 高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 成果  OAI收割 院科技进步奖: 三等奖, 1986 林兰英; 叶式中; 何宏家; 方兆强; 曹福年 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/04/13 半绝缘GaAs   水平法低位错GaAs的单晶 成果  OAI收割 院科技进步奖: 二等奖, 1986 褚一鸣; 何宏家; 周伯骏; 曹福年; 白玉珂 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/13 GaAs   半绝缘GaAs“热转换”的低温光致发光研究 期刊论文  OAI收割 红外研究, 1984, 期号: 4, 页码: 274 吴灵犀; 张泽华; 陈廷杰; 万寿科; 何宏家; 曹福年; 孟庆惠; 李永康 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2013/09/23 β—吸收法监测飘尘浓度 期刊论文  OAI收割 上海环境科学, 1983, 期号: 06 孙福桃; 金云龙; 曹如晟; 顾琦珍; 王行方; 贺嵩年 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/29