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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31
作者:  
河西 秀典;  森本 泰司;  兼岩 進治;  林 寛;  宮内 伸幸
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/23
半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2875440B2, 申请日期: 1999-01-14, 公开日期: 1999-03-31
作者:  
細羽 弘之;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  松本 晃広
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2558744B2, 申请日期: 1996-09-05, 公开日期: 1996-11-27
作者:  
種谷 元隆;  高橋 向星;  早川 利郎;  松井 完益;  松本 晃広
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザアレイ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2552504B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
作者:  
山本 修;  松井 完益;  種谷 元隆;  松本 晃広;  細羽 弘之
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995109926B2, 申请日期: 1995-11-22, 公开日期: 1995-11-22
作者:  
近藤 正樹;  佐々木 和明;  森本 泰司;  松本 晃広;  細羽 弘之
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994095589B2, 申请日期: 1994-11-24, 公开日期: 1994-11-24
作者:  
細羽 弘之;  松本 晃弘;  松井 完益;  森本 泰司
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/13