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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• OAI收割 [7]

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• 专利 [7]

发表日期

• 2011 [3]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [2]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半導體雷射元件及其製造方法 专利  OAI收割 专利号: TWI347054B, 申请日期: 2011-08-11, 公开日期: 2011-08-11 作者:  小崎德也;  坂本惠司;  松村拓明   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光元件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1877934B, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光元件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1877934B, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27 作者:  松村拓明   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 半導體雷射元件 专利  OAI收割 专利号: TWI258906B, 申请日期: 2006-07-21, 公开日期: 2006-07-21 作者:  松村拓明;  小谷靖長   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1578029A, 申请日期: 2005-02-09, 公开日期: 2005-02-09 作者:  松村拓明;  柳本友弥   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 脊形波导型半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1503416A, 申请日期: 2004-06-09, 公开日期: 2004-06-09 作者:  松村拓明   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2004072072A, 申请日期: 2004-03-04, 公开日期: 2004-03-04 作者:  梅本 整;  松村 拓明;  落合 真尚   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13