机构

• 微电子研究所 [89]
• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [94]

内容类型

• 期刊论文 [66]
• 专利 [25]
• 成果 [3]

发表日期

• 2014 [1]
• 2012 [7]
• 2011 [1]
• 2010 [2]
• 2009 [4]
• 2008 [9]
• 更多

学科主题

• 微电子学 [4]
• 半导体器件 [1]

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浏览/检索结果: 共94条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种绝缘体上硅二极管器件及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN201110183539.1, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2011-11-16 作者:  罗家俊;  海潮和;  韩郑生;  毕津顺   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/04/08 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路 专利  OAI收割 专利号: CN200910244523.X, 申请日期: 2012-10-17, 公开日期: 2011-07-06 作者:  罗家俊;  韩郑生;  海潮和;  毕津顺   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/08 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法 专利  OAI收割 专利号: CN200910089598.5, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2011-02-02 作者:  罗家俊;  韩郑生;  海潮和;  毕津顺   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/04/08 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路 专利  OAI收割 专利号: CN200910244519.3, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2011-07-06 作者:  韩郑生;  罗家俊;  毕津顺;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/08 一种ESD防护电阻 专利  OAI收割 专利号: CN201120565124.6, 申请日期: 2012-08-08, 作者:  李晶;  罗家俊;  韩郑生;  李多力;  曾传滨   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/07 晶体管测试装置及方法 专利  OAI收割 专利号: CN200910308495.3, 申请日期: 2012-08-01, 公开日期: 2010-12-29 作者:  毕津顺;  罗家俊;  韩郑生;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/04/08 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 专利  OAI收割 专利号: CN200710064870.5, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2008-10-01 作者:  海潮和;  曾传滨;  李多力;  李晶;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/26 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 专利  OAI收割 专利号: CN200810104231.1, 申请日期: 2012-01-18, 公开日期: 2009-10-21 作者:  曾传滨;  李晶;  海潮和;  李多力;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 一种绝缘体上硅器件及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN200910305117.X, 申请日期: 2011-04-06, 公开日期: 2010-01-06 作者:  毕津顺;  海潮和;  韩郑生;  罗家俊   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/04/08 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法 专利  OAI收割 专利号: CN200810104225.6, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2009-10-21 作者:  李晶;  韩郑生;  李多力;  海潮和;  曾传滨   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26