机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 2003 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1996 [3]
• 1995 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 V溝構造を有する半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3446344B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16 作者:  下山 謙司;  長尾 哲;  清見 和正;  後藤 秀樹   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001024281A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26 作者:  下山 謙司;  清見 和正   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000294879A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20 作者:  下山 謙司;  清見 和正   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 III-V族化合物半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996279653A, 申请日期: 1996-10-22, 公开日期: 1996-10-22 作者:  下山 謙司;  清見 和正;  佐藤 義人;  後藤 秀樹   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 V溝構造を有する半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996125276A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17 作者:  下山 謙司;  長尾 哲;  清見 和正;  後藤 秀樹   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 V溝構造を有する半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996125277A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 V溝構造を有する半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1995321411A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08 作者:  下山 謙司;  清見 和正;  後藤 秀樹   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31