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机构
西安光学精密机械研究... [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
专利 [7]
发表日期
2003 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1996 [3]
1995 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共7条，第1-7条
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V溝構造を有する半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP3446344B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
清見 和正
;
後藤 秀樹
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收藏
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半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP2001024281A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26
作者:
下山 謙司
;
清見 和正
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收藏
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半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000294879A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20
作者:
下山 謙司
;
清見 和正
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收藏
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III-V族化合物半導体発光素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996279653A, 申请日期: 1996-10-22, 公开日期: 1996-10-22
作者:
下山 謙司
;
清見 和正
;
佐藤 義人
;
後藤 秀樹
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收藏
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V溝構造を有する半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP1996125276A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
清見 和正
;
後藤 秀樹
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收藏
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V溝構造を有する半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1996125277A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
清見 和正
;
後藤 秀樹
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收藏
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V溝構造を有する半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1995321411A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08
作者:
下山 謙司
;
清見 和正
;
後藤 秀樹
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收藏
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