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机构
西安光学精密机械研... [27]
采集方式
OAI收割 [27]
内容类型
专利 [27]
发表日期
2004 [1]
2000 [2]
1999 [3]
1998 [3]
1997 [2]
1996 [4]
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共27条,第1-10条
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光電変換素子アレイ装置、半導体発光素子アレイを用いた光源装置、およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3612850B2, 申请日期: 2004-11-05, 公开日期: 2005-01-19
作者:
瀬古 保次
;
村上 朱実
;
乙間 広己
;
植木 伸明
;
布施 マリオ
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提交时间:2019/12/24
面発光型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2000269598A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29
作者:
瀬古 保次
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提交时间:2020/01/13
2次元発光素子アレイ、画像表示装置及び画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000012973A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
作者:
瀬古 保次
;
岩佐 泉
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提交时间:2019/12/31
2次元素子アレイ、2次元面発光レーザアレイおよび画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP3013886B2, 申请日期: 1999-12-17, 公开日期: 2000-02-28
作者:
岩佐 泉
;
足利 英昭
;
瀬古 保次
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提交时间:2019/12/23
半導体デバイス及び画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP1999340572A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10
作者:
瀬古 保次
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提交时间:2019/12/31
2次元素子アレイ、及び画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP1999054821A, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-02-26
作者:
瀬古 保次
;
岩佐 泉
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提交时间:2019/12/31
マルチビーム半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2841428B2, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-12-24
作者:
瀬古 保次
;
上柳 喜一
;
中山 秀生
;
福永 秀樹
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提交时间:2020/01/13
マルチビーム半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2819593B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30
作者:
瀬古 保次
;
上柳 喜一
;
中山 秀生
;
福永 秀樹
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提交时间:2019/12/23
面発光型半導体レーザ、その製造方法およびこれを用いた面発光型半導体レーザアレイ
专利
OAI收割
专利号: JP1998200204A, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-07-31
作者:
瀬古 保次
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザアレイ駆動方法および装置、並びに画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP1997052389A, 申请日期: 1997-02-25, 公开日期: 1997-02-25
作者:
瀬古 保次
;
村上 朱実
;
乙間 広己
;
植木 伸明
;
岩佐 泉
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提交时间:2019/12/31