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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3699753B2, 申请日期: 2005-07-15, 公开日期: 2005-09-28
作者:  
石谷 善博;  皆川 重量;  田中 俊明;  濱田 博
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996111558A, 申请日期: 1996-04-30, 公开日期: 1996-04-30
作者:  
田中 俊明;  大歳 創;  石谷 善博;  皆川 重量
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP1995249797A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
作者:  
皆川 重量;  田中 俊明;  石谷 善博;  大歳 創
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995249830A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
作者:  
皆川 重量;  田中 俊明;  石谷 善博;  大歳 創
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18
結晶成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995249831A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
作者:  
皆川 重量;  田中 俊明;  石谷 善博;  大歳 創
  |  收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2020/01/18