机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體 专利  OAI收割 专利号: TW201117501A, 申请日期: 2011-05-16, 公开日期: 2011-05-16 作者:  秋田勝史;  鹽谷陽平;  京野孝史   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化鎵系半導體雷射二極體 专利  OAI收割 专利号: TW201115869A, 申请日期: 2011-05-01, 公开日期: 2011-05-01 作者:  住友隆道;  鹽谷陽平;  善積祐介;  上野昌紀;  秋田勝史   |  收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2020/01/18 ＩＩＩ族氮化物半導體雷射、及ＩＩＩ族氮化物半導體雷射之製作方法 专利  OAI收割 专利号: TW201034325A, 申请日期: 2010-09-16, 公开日期: 2010-09-16 作者:  藤井慧;  上野昌紀;  秋田勝史;  京野孝史;  善積祐介   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子を形成する方法 专利  OAI收割 专利号: JP4389723B2, 申请日期: 2009-10-16, 公开日期: 2009-12-24 作者:  京野 孝史;  上野 昌紀;  秋田 勝史   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 GaN基板、使用其之磊晶基板及半導體發光元件 专利  OAI收割 专利号: TW200907125A, 申请日期: 2009-02-16, 公开日期: 2009-02-16 作者:  秋田勝史   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999068157A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09 作者:  秋田 勝史;  元木 健作   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13