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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助

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半導体光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2008282975A, 申请日期: 2008-11-20, 公开日期: 2008-11-20
作者:  須郷 満;  竹下 達也
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3590277B2, 申请日期: 2004-08-27, 公开日期: 2004-11-17
作者:  横山 清行;  竹下 達也;  須郷 満
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体光増幅器および光導波路 专利  OAI收割
专利号: JP2000151027A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30
作者:  竹下 達也;  横山 清行;  福田 光男
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31
レーザダイオードモジュール 专利  OAI收割
专利号: JP2000056185A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:  竹下 達也;  吉野 薫;  西 功雄
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999026863A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:  竹下 達也;  須郷 満;  西谷 昭彦;  伊賀 龍三;  福田 光男
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザと光増幅器を集積化した半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999017276A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者:  西谷 昭彦;  須郷 満;  伊賀 龍三;  竹下 達也
  |  收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999004042A, 申请日期: 1999-01-06, 公开日期: 1999-01-06
作者:  須郷 満;  西谷 昭彦;  伊賀 龍三;  竹下 達也
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
埋込み形半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2814124B2, 申请日期: 1998-08-14, 公开日期: 1998-10-22
作者:  川上 剛司;  岡安 雅信;  竹下 達也
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997033868A, 申请日期: 1997-02-07, 公开日期: 1997-02-07
作者:  竹下 達也;  永沼 充;  岡本 稔;  曲 克明
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996201739A, 申请日期: 1996-08-09, 公开日期: 1996-08-09
作者:  竹下 達也;  岡本 稔;  永沼 充;  曲 克明
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13