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• 西安光学精密机械研... [11]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 面発光レーザ、該面発光レーザによって構成される光学機器 专利  OAI收割 专利号: JP5058939B2, 申请日期: 2012-08-10, 公开日期: 2012-10-24 作者:  竹内 哲也;  内田 武志   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/23 垂直共振器型面発光レーザ、それを用いた画像形成装置 专利  OAI收割 专利号: JP2011249557A, 申请日期: 2011-12-08, 公开日期: 2011-12-08 作者:  稲生 耕久;  井久田 光弘;  竹内 哲也   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 垂直共振器型面発光レーザ素子、及び該垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた画像形成装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009094485A, 申请日期: 2009-04-30, 公开日期: 2009-04-30 作者:  内田 武志;  竹内 哲也   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP4298023B2, 申请日期: 2009-04-24, 公开日期: 2009-07-15 作者:  岩谷 素顕;  竹内 哲也;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 包含多层反射器的光学设备和垂直腔面发射激光器 专利  OAI收割 专利号: CN101132118A, 申请日期: 2008-02-27, 公开日期: 2008-02-27 作者:  竹内哲也   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16 作者:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16 作者:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26 非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2003298187A, 申请日期: 2003-10-17, 公开日期: 2003-10-17 作者:  竹内 哲也;  イン-ラン·チャン;  ディビッド·ピー·ブール;  マイケル·エイチ·リアリー;  マイケル·アール·ティ·タン   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000124552A, 申请日期: 2000-04-28, 公开日期: 2000-04-28 作者:  竹内 哲也;  金子 和;  山田 範秀;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998233529A, 申请日期: 1998-09-02, 公开日期: 1998-09-02 作者:  山田 範秀;  中川 茂;  山岡 慶文;  竹内 哲也   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18