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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• OAI收割 [7]

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• 专利 [7]

发表日期

• 2018 [1]
• 2003 [1]
• 2000 [1]
• 1996 [1]
• 1993 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光トポロジカルデバイス 专利  OAI收割 专利号: JP2018136443A, 申请日期: 2018-08-30, 公开日期: 2018-08-30 作者:  高田 健太;  納富 雅也   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 3次元半導体光結晶素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3440306B2, 申请日期: 2003-06-20, 公开日期: 2003-08-25 作者:  納富 雅也;  竹ノ内 弘和   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 2次元半導体光結晶素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000232258A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22 作者:  納富 雅也;  児玉 聡   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996088440A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02 作者:  納富 雅也;  浅井 裕充;  吉國 裕三   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体量子井戸レーザの製法 专利  OAI收割 专利号: JP1993129710A, 申请日期: 1993-05-25, 公开日期: 1993-05-25 作者:  岡本 稔;  納富 雅也   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 偏光制御レーザダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP1993343800A, 公开日期: 1993-12-24 作者:  納富 雅也;  玉村 敏昭;  岡本 稔   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法 专利  OAI收割 专利号: JP1993144732A, 公开日期: 1993-06-11 作者:  西田 敏夫;  杉浦 英雄;  納富 雅也;  玉村 敏昭   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26