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浏览/检索结果: 共46条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photothermal-chemical synthesis of P-S-H ternary hydride at high pressures 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31 作者:  Ye, Tingting;  Zeng, Hong;  Cheng, Peng;  Yao, Deyuan;  Pan, Xiaomei   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2022/12/23 hydride  superconductor  high pressure  Raman spectroscopy   Genomic basis of the giga-chromosomes and giga-genome of tree peony Paeonia ostii 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2022, 卷号: 13, 期号: 1 作者:  Yuan, Junhui;  Jiang, Sanjie;  Jian, Jianbo;  Liu, Mingyu;  Yue, Zhen   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2024/03/07 Distinguishing the number of captured microspheres in dual-beam optical trap by measuring the back light signal 会议论文  OAI收割 Beijing, China, 2017-06-04 作者:  Zhou, Deyuan;  Chen, Xinlin;  Xiao, Guangzong;  Han, Xiang;  Jin, Shilong   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/02/11 Evolution of the platycodonoid group with particular references to biogeography and character evolution 期刊论文  OAI收割 Journal of Integrative Plant Biology, 2014, 卷号: 56, 期号: 10, 页码: 995-1008 作者:  Qiang Wang;  Xiao‐Quan Wang;  Hang Sun;  Yan Yu;  Xing‐Jin He   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/12/07 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102104048A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 宁冰旭; 薛忠营; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2012/01/06 一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102104063A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 周建华; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/01/06 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101986435A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16 肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101950723A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19 陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2012/01/06 一种具有体接触结构的PD SOI器件 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101931008A, 申请日期: 2010-12-29, 公开日期: 2010-12-29 陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/01/06 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101924138A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22 肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06