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	薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析期刊论文 OAI收割电子学报, 2001, 期号: 11 姚峰英; 胡恒升; 张敏收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2012/03/29
	等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定期刊论文 OAI收割功能材料与器件学报, 2001, 期号: 01 胡恒升; 张敏收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2012/03/29
	薄氧化硅可靠性及击穿机理研究学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） , 2000 胡恒升收藏 \| 浏览/下载：132/0 \| 提交时间：2012/03/06 薄氧化硅击穿机理陷阱等离子体
	反应离子刻蚀工艺中的充电效应期刊论文 OAI收割电子学报, 2000, 期号: 11 胡恒升; 张敏收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2012/03/29
	TDDB击穿特性评估薄介质层质量期刊论文 OAI收割电子学报, 2000, 期号: 05 胡恒升; 张敏; 林立谨收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2012/03/29