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西安光学精密机械研究... [3]
半导体研究所 [2]
金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [3]
期刊论文 [3]
发表日期
2014 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
1994 [1]
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学科主题
光电子学 [2]
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共6条,第1-6条
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一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN103855263A, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
作者:
贺龙飞
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陈志涛
;
刘宁炀
;
赵维
;
张志清
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提交时间:2020/01/18
第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458
作者:
赵德刚
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提交时间:2010/11/23
Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 10, 页码: 6513-6519
作者:
赵德刚
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提交时间:2010/11/23
Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
专利
OAI收割
专利号: CN1431722A, 申请日期: 2003-07-23, 公开日期: 2003-07-23
作者:
范广涵
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提交时间:2020/01/18
半导体点阵光理疗器
专利
OAI收割
专利号: CN2474165Y, 申请日期: 2002-01-30, 公开日期: 2002-01-30
作者:
范广涵
;
廖常俊
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提交时间:2019/12/24
用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究
期刊论文
OAI收割
发光学报, 1994, 期号: 1, 页码: 1-8
宋士惠,关郑平,范广涵,范希武,彭应国,吴玉琨
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提交时间:2012/04/12
超晶格
高分辨透射电镜
缺陷