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一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN103855263A, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
作者:  
贺龙飞;  陈志涛;  刘宁炀;  赵维;  张志清
  |  收藏  |  浏览/下载:43/0  |  提交时间:2020/01/18
第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458
作者:  
赵德刚
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2010/11/23
Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 10, 页码: 6513-6519
作者:  
赵德刚
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2010/11/23
Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件 专利  OAI收割
专利号: CN1431722A, 申请日期: 2003-07-23, 公开日期: 2003-07-23
作者:  
范广涵
  |  收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2020/01/18
半导体点阵光理疗器 专利  OAI收割
专利号: CN2474165Y, 申请日期: 2002-01-30, 公开日期: 2002-01-30
作者:  
范广涵;  廖常俊
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/24
用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究 期刊论文  OAI收割
发光学报, 1994, 期号: 1, 页码: 1-8
宋士惠,关郑平,范广涵,范希武,彭应国,吴玉琨
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2012/04/12