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垂直共振器型面発光半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2014027160A, 申请日期: 2014-02-06, 公开日期: 2014-02-06
作者:  
菅原 章義
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半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3487785B2, 申请日期: 2003-10-31, 公开日期: 2004-01-19
作者:  
菅原 章義
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3394191B2, 申请日期: 2003-01-31, 公开日期: 2003-04-07
作者:  
角田 篤勇;  菅原 章義
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999330623A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
作者:  
▲高▼橋 向星;  菅原 章義
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半導体光導波路およびその製造方法並びに光導波路型素子 专利  OAI收割
专利号: JP1995146413A, 申请日期: 1995-06-06, 公开日期: 1995-06-06
作者:  
菅原 章義;  細羽 弘之;  近藤 雅文
  |  收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2020/01/18