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半导体发光元件 专利  OAI收割
专利号: CN101223679A, 申请日期: 2008-07-16, 公开日期: 2008-07-16
作者:  
小林隆二;  菅生繁男
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気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2586118B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
作者:  
黒田 尚孝;  菅生 繁男
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/24
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1996139404A, 申请日期: 1996-05-31, 公开日期: 1996-05-31
作者:  
菅生 繁男
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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994021572A, 申请日期: 1994-01-28, 公开日期: 1994-01-28
作者:  
菅生 繁男
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2020/01/18
波長多重用半導体光デバイスとその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995030146A, 公开日期: 1995-01-31
作者:  
笠原 健一;  菅生 繁男
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/26