机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [3]
• 2000 [1]
• 1997 [1]
• 1994 [2]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光准直器 专利  OAI收割 专利号: CN202563122U, 申请日期: 2012-11-28, 公开日期: 2012-11-28 作者:  武藤广行;  石井佳秀;  柳飞沙则;  森谷直彦;  峯成伸   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体器件的制造方法、半导体器件、通信设备和半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN101868888A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 作者:  谷口英广;  行谷武;  片山悦治   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光元件以及半导体激光元件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101796699A, 申请日期: 2010-08-04, 公开日期: 2010-08-04 作者:  谷口英广;  石井宏辰;  行谷武   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザモジュール 专利  OAI收割 专利号: JP2010073758A, 申请日期: 2010-04-02, 公开日期: 2010-04-02 作者:  早水 尚樹;  行谷 武   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 リッジ導波路型半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000114660A, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-04-21 作者:  粕川 秋彦;  行谷 武   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 リッジ導波路型半導体レーザダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP1997307184A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28 作者:  大久保 典雄;  粕川 秋彦;  池上 嘉一;  行谷 武   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 分布帰還型半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994326404A, 申请日期: 1994-11-25, 公开日期: 1994-11-25 作者:  行谷 武;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994090064A, 申请日期: 1994-03-29, 公开日期: 1994-03-29 作者:  行谷 武   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18