中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共6条,第1-6条 帮助

条数/页: 排序方式:
半导体激光二极管 专利  OAI收割
专利号: CN110140264A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16
作者:  
斯文·格哈德;  克里斯托夫·艾克勒;  艾尔弗雷德·莱尔;  贝恩哈德·施托耶茨
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/13
发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 专利  OAI收割
专利号: CN107425413A, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
作者:  
克里斯托夫·艾希勒;  安德烈·佐默斯;  贝恩哈德·施托耶茨;  安德烈亚斯·莱夫勒;  艾尔弗雷德·莱尔
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/18
用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 专利  OAI收割
专利号: CN107394581A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24
作者:  
克里斯托夫·艾希勒;  安德烈·佐默斯;  哈拉尔德·柯尼希;  贝恩哈德·施托耶茨;  安德烈亚斯·莱夫勒
  |  收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2020/01/18
半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 专利  OAI收割
专利号: CN107394583A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24
作者:  
艾尔弗雷德·莱尔;  安德烈亚斯·莱夫勒;  克里斯托夫·艾希勒;  贝恩哈德·施托耶茨;  安德烈·佐默斯
  |  收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2020/01/18
用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管 专利  OAI收割
专利号: CN104685734A, 申请日期: 2015-06-03, 公开日期: 2015-06-03
作者:  
贝恩哈德·施托耶茨;  艾尔弗雷德·莱尔;  克里斯托夫·艾克勒
  |  收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2019/12/31
边缘发射的半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN109075529A, 公开日期: 2018-12-21
作者:  
贝恩哈德·施托耶茨;  格奥尔格·布吕德尔
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26