机构

• 半导体研究所 [11]
• 上海药物研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]
• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [10]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [14]
• 专利 [1]

发表日期

• 2023 [1]
• 2013 [1]
• 2012 [1]
• 2009 [5]
• 2008 [6]
• 2006 [1]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [5]
• 半导体化学 [1]
• 纳米科技与材料物理:... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 PRMT6 promotes tumorigenicity and cisplatin response of lung cancer through triggering 6PGD/ENO1 mediated cell metabolism 期刊论文  OAI收割 ACTA PHARMACEUTICA SINICA B, 2023, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 157-173 作者:  Sun, Mingming;  Li, Leilei;  Niu, Yujia;  Wang, Yingzhi;  Yan, Qi   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2024/03/27 Lung cancer  Metabolic reprogramming  Post-translational modification  PRMT6  Pentose phosphate pathway flux  Glycolysis  6-Phospho-gluconate dehydrogenase  a-enolase  ENO1   Texture Evolution and Grain Competition in NiGe Film on Ge(001) 期刊论文  OAI收割 applied physics express, Applied Physics Express, 2013, 2013, 卷号: 6, 6, 期号: 7, 页码: 075505, 075505 作者:  Huang, Wei;  Tang, Mengrao;  Wang, Chen;  Li, Cheng;  Li, Jun   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/04/04 N型掺杂应变Ge发光性质 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2012, 期号: 3, 页码: 356-363 黄诗浩; 李成; 陈城钊; 郑元宇; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2013/02/22 应变  N型掺杂Ge  量子效率  光增益   Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 作者:  Zhou, Bi;  Pan, Shuwan;  Chen, Songyan;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/05/12 Heterostructure  Nanostructure  Porous si  Porous sige  Photoluminescence   Room temperature photoluminescence of tensile-strained ge/si0.13ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Chen, Yanghua;  Li, Cheng;  Zhou, Zhiwen;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/05/12 Chemical vapour deposition  Elemental semiconductors  Energy gap  Germanium  Ge-si alloys  Photoluminescence  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor quantum wells  Silicon  Tensile strength   一种锗量子点的制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN101388324A, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-03-18 作者:  张永;  李成;  廖凌宏;  陈松岩;  赖虹凯   |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2020/01/18 Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文  OAI收割 材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/11/23 Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two- step approach strategy 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2009, 期号: 129 Bi Zhou; Shuwan Pan; Songyan Chen; Cheng Li; Hongkai Lai; Jinzhong Yu; Xianfang Zhu 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/08 Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 作者:  Zhou, Zhiwen;  Cai, Zhimeng;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Relaxed buffer  Sige film  Lt-ge layer  Strain relaxation  Uhvcvd   Comment on "use of si(+) pre-ion-implantation on si substrate to enhance the strain relaxation of the ge(x)si(1-x) metamorphic buffer layer for the growth of ge layer on si substrate" [appl. phys. lett. 90, 083507 (2007)] 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: 2 作者:  Zhou, Zhiwen;  Li, Cheng;  Chen, Songyan;  Lai, Hongkai;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12