机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2010 [1]
• 2000 [1]
• 1998 [2]
• 1997 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 発光デバイス及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010027732A, 申请日期: 2010-02-04, 公开日期: 2010-02-04 作者:  赤川 武志;  辻 正芳;  阿南 隆由   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000174391A, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-06-23 作者:  辻 正芳   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2839084B2, 申请日期: 1998-10-16, 公开日期: 1998-12-16 作者:  辻 正芳   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2812273B2, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-10-22 作者:  北村 光弘;  山崎 裕幸;  辻 正芳;  バイデンス ルック   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 3-5族光半導体素子および3-5族光半導体集積素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997116233A, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-05-02 作者:  辻 正芳   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光レーザおよび半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009141119A, 公开日期: 2009-06-25 作者:  屋敷 健一郎;  辻 正芳;  阿南 隆由;  鈴木 尚文;  畠山 大   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26