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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2000 [2]
• 1997 [1]
• 1996 [1]
• 1995 [1]
• 1994 [2]
• 1993 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000261099A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22 作者:  国原 健二;  松原 邦雄;  新村 康;  進藤 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000261102A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22 作者:  国原 健二;  松原 邦雄;  新村 康;  進藤 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1997092931A, 申请日期: 1997-04-04, 公开日期: 1997-04-04 作者:  荻野 慎次;  坂田 昌良;  進藤 洋一;  守屋 裕史;  山口 賢   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1996222796A, 申请日期: 1996-08-30, 公开日期: 1996-08-30 作者:  栗林 均;  松原 邦雄;  進藤 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 光モジュール 专利  OAI收割 专利号: JP1995058414A, 申请日期: 1995-03-03, 公开日期: 1995-03-03 作者:  田辺 英三;  進藤 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994350188A, 申请日期: 1994-12-22, 公开日期: 1994-12-22 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994029617A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04 作者:  野口 悦男;  松本 信一;  近藤 進;  山本 知生;  近藤 康洋   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 發光端面上有保護層之雷射二極體裝置 专利  OAI收割 专利号: TW205607B, 申请日期: 1993-05-11, 公开日期: 1993-05-11 作者:  中田勝榮;  天野彰;  菅沼信孝;  進藤洋一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23