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High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:  
Zheng YK(郑英奎);  Liu GG(刘果果);  Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华)
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2019/04/19
Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者:  
Shi JY(史敬元);  Fan J(樊捷);  Kang XW(康玄武);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
  |  收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2019/04/19
基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文  OAI收割
作者:  
陈晓娟;  王鑫华;  魏珂;  郑英奎;  樊捷
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2018/07/20
AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation 期刊论文  OAI收割
Chinese Physics B, 2015
作者:  
Ma XH(马晓华);  Zheng YK(郑英奎);  Pang L(庞磊);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2016/10/28
Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letter, 2015
作者:  
Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Zheng YK(郑英奎);  Wei K(魏珂)
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2016/05/26
过量PbO对镧掺杂0.75Pb (Mg1/3Nb2/3)O3-0.25PbTiO3电光陶瓷光学性能与微观结构的影响 期刊论文  OAI收割
Materials Science Forum, 2013, 期号: 745, 页码: 555
季文龙; 何夕云; 程文秀; 仇萍荪; 郑鑫森
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2014/12/18
镧掺杂锆钛酸铅透明陶瓷的电控光散射性能 期刊论文  OAI收割
J Electroceram, 2012, 期号: 9, 页码: 192-197
夏彬; 何夕云; 郑鑫森; 仇萍荪; 程文秀; 曾霞
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2013/07/19
不同Zr/Ti比透明铁电陶瓷PLZT的光散射性能研究 期刊论文  OAI收割
Key Engineering Materials, 2012, 卷号: 512, 期号: 6, 页码: 1537-1540
夏彬; 何夕云; 郑鑫森; 仇萍荪; 程文秀; 曾霞
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2013/07/19
Effects of excess ZnO addition on La-doped PZN-PZT ceramics prepared by hot pressing 期刊论文  OAI收割
CERAMICS INTERNATIONAL, 2007, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 883
曾霞; 丁爱丽; 郑鑫森; 刘涛
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2013/04/03
Mn-掺杂(K0.5Na0.5)0.96Sr0.02NbO3无铅压电陶瓷研究 期刊论文  OAI收割
无机材料学报, 2007, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 469
刘涛; 丁爱丽; 何夕云; 郑鑫森; 仇萍荪; 程文秀
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2013/04/03