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西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
1997 [4]
1996 [2]
1995 [2]
学科主题
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共8条,第1-8条
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分布帰還型半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2669045B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
作者:
阿部 雄次
;
大塚 健一
;
杉本 博司
;
大石 敏之
;
松井 輝仁
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2656248B2, 申请日期: 1997-05-30, 公开日期: 1997-09-24
作者:
阿部 雄次
;
大塚 健一
;
杉本 博司
;
松井 輝仁
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提交时间:2020/01/13
光半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP2633234B2, 申请日期: 1997-04-25, 公开日期: 1997-07-23
作者:
松井 輝仁
;
大塚 健一
;
杉本 博司
;
阿部 雄次
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2619057B2, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-06-11
作者:
阿部 雄次
;
杉本 博司
;
大塚 健一
;
大石 敏之
;
松井 輝仁
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提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザおよびその使用方法
专利
OAI收割
专利号: JP2529260B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-28
作者:
松井 輝仁
;
大塚 健一
;
杉本 博司
;
阿部 雄次
;
大石 敏之
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提交时间:2019/12/24
半導体レ-ザおよびその使用方法
专利
OAI收割
专利号: JP2526898B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21
作者:
松井 輝仁
;
大塚 健一
;
杉本 博司
;
阿部 雄次
;
大石 敏之
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提交时间:2020/01/13
光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995176832A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14
作者:
杉本 博司
;
後藤田 光伸
;
井須 俊郎
;
阿部 雄次
;
大塚 健一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995007862B2, 申请日期: 1995-01-30, 公开日期: 1995-01-30
作者:
阿部 雄次
;
杉本 博司
;
大塚 健一
;
大石 敏之
;
松井 輝仁
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提交时间:2020/01/13