中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
上海微系统与信息技术... [5]
微电子研究所 [1]
合肥物质科学研究院 [1]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [5]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2021 [1]
2018 [1]
2006 [5]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (4th edition)
期刊论文
OAI收割
AUTOPHAGY, 2021, 卷号: 17
作者:
Klionsky, Daniel J.
;
Abdel-Aziz, Amal Kamal
;
Abdelfatah, Sara
;
Abdellatif, Mahmoud
;
Abdoli, Asghar
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:319/0
  |  
提交时间:2021/05/31
Autophagosome
cancer
flux
LC3
lysosome
macroautophagy
neurodegeneration
phagophore
stress
vacuole
Growth promotion of vertical graphene on SiO2/Si by Ar plasma process in plasma-enhanced chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
RSC Advances, 2018
作者:
Yijian Liang
;
Jing Li
;
Xiaoming Ge
;
ShiKe Hu
;
Guanghui Yu
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2019/04/19
一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN1838384, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2006-09-27
王笑龙
;
于广辉
;
隋妍萍
;
雷本亮
;
齐鸣
;
李爱珍
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2012/01/06
Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响
期刊论文
OAI收割
光电子·激光, 2006, 期号: 08
隋妍萍
;
于广辉
;
俞谦荣
;
齐鸣
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2012/01/06
高g加速度传感器
压膜阻尼
曲面过载保护
冲击响应
射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2006, 期号: 06
隋妍萍
;
于广辉
;
孟胜
;
雷本亮
;
王笑龙
;
王新中
;
齐鸣
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2012/01/06
锂离子电池组
非耗散型均衡
耗散型均衡
均衡电路
纳米孔氮化镓材料的制备和研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2006, 期号: 04
王笑龙
;
于广辉
;
雷本亮
;
隋妍萍
;
孟胜
;
齐鸣
;
李爱珍
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2012/01/06
共面波导
传输线
绝缘体上硅
地屏蔽
GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006
隋妍萍
收藏
  |  
浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2012/03/06
GaN
射频等离子体分子束外延
III/V比
Mg掺杂
光致发光