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一种高光谱图像传感器的单片集成方法
专利
OAI收割
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者:
崔虎山
;
项金娟
;
贺晓彬
;
杨涛
;
李俊峰
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提交时间:2019/03/26
Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface
期刊论文
OAI收割
49th IEEE Semiconductor, 2018
作者:
Ye TC(叶甜春)
;
Wang WW(王文武)
;
Zhou LX(周丽星)
;
Wang XL(王晓磊)
;
Xiang JJ(项金娟)
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提交时间:2019/05/20
Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Jing Zhang
;
Zhao C(赵超)
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提交时间:2019/05/20
一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法
专利
OAI收割
专利号: CN201610424181.X, 申请日期: 2018-10-16, 公开日期: 2016-10-12
作者:
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提交时间:2019/03/26
Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation
期刊论文
OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Zhang J(张静)
;
Zhao C(赵超)
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提交时间:2019/05/20
Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate
期刊论文
OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Zhang J(张静)
;
Zhao C(赵超)
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提交时间:2019/05/20
一种制备钛铝合金薄膜的方法
专利
OAI收割
专利号: US9954071, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2017-04-13
作者:
丁玉强
;
赵超
;
项金娟
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提交时间:2019/03/27
Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018
作者:
Shan Tang
;
Tao GL(陶桂龙)
;
Li JF(李俊峰)
;
Zhu HL(朱慧珑)
;
Wang XL(王晓磊)
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提交时间:2019/05/20
Evolution of traps in TiN/O 3 -sourced Al 2 O 3 /GaN gate structures with thermal annealing temperature
期刊论文
OAI收割
Journal of Vacuum Science & Technology B, 2018
作者:
Xiang JJ(项金娟)
;
Liu XY(刘新宇)
;
Huang S(黄森)
;
Bao QL(包琦龙)
;
Wang XH(王鑫华)
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提交时间:2019/04/19
半导体器件制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410353945.1, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2016-02-17
作者:
项金娟
;
赵超
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提交时间:2019/03/14