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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 内視鏡用光源システム 专利  OAI收割 专利号: JP2016034505A, 申请日期: 2016-03-17, 公开日期: 2016-03-17 作者:  伊藤 毅;  山本 英二   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31 光源システム並びにそれに用いる光源ユニット及び光変換ユニット 专利  OAI收割 专利号: JP2012209190A, 申请日期: 2012-10-25, 公开日期: 2012-10-25 作者:  伊藤 毅;  山本 英二   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010238896A, 申请日期: 2010-10-21, 公开日期: 2010-10-21 作者:  駒崎 岩男;  伊藤 毅   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1997083066A, 申请日期: 1997-03-28, 公开日期: 1997-03-28 作者:  駒崎 岩男   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994237011A, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23 作者:  駒崎 岩男   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 高出力半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994237041A, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23 作者:  駒崎 岩男   |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2020/01/18 光半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994112588A, 申请日期: 1994-04-22, 公开日期: 1994-04-22 作者:  駒崎 岩男   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1993335684A, 申请日期: 1993-12-17, 公开日期: 1993-12-17 作者:  駒崎 岩男   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1993235472A, 申请日期: 1993-09-10, 公开日期: 1993-09-10 作者:  駒崎 岩男   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993226763A, 申请日期: 1993-09-03, 公开日期: 1993-09-03 作者:  駒崎 岩男   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13