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机构
新疆理化技术研究所 [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
期刊论文 [11]
专利 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2020 [1]
2019 [6]
2018 [4]
2017 [4]
学科主题
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共15条,第1-10条
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A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices
期刊论文
OAI收割
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 540-550
作者:
Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2020/07/06
Charge coupled devices (CCDs)
proton irradiation
neutron irradiation
hot pixels
displacement damage effects
深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
马林东
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提交时间:2019/07/15
CMOS图像传感器
总剂量效应
位移效应
3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
作者:
张翔
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浏览/下载:166/0
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提交时间:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器
3MeV质子
固定模式噪声
位移效应
电离总剂量效应
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
作者:
蔡毓龙
;
李豫东
;
郭旗
;
文林
;
周东
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提交时间:2019/05/09
图像传感器
CMOS
满阱容量
电离总剂量效应
1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 61-67
作者:
王志铭
;
周东
;
李豫东
;
文林
;
马林东
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提交时间:2019/11/18
HgCdTe
光伏器件
暗电流
电子辐照
辐射效应
位移损伤
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199
作者:
王志铭
;
周东
;
郭旗
;
李豫东
;
文林
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/11/18
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199
作者:
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/03/19
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-10-12,
作者:
李豫东
;
冯婕
;
马林东
;
文林
;
周东
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提交时间:2019/08/06
质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 115-119+125
作者:
刘元
;
文林
;
李豫东
;
何承发
;
郭旗
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/03/19
电荷耦合器件
质子辐射效应
热像素
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320
作者:
马林东
;
李豫东
;
郭旗
;
文林
;
周东
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提交时间:2018/11/19
Cmos有源像素传感器
总剂量效应
暗电流