中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共306条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210333081.8, 申请日期: 2017-06-16, 公开日期: 2014-03-26
作者:  钟汇才;  朱慧珑;  梁擎擎;  叶甜春;  尹海洲
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/04/10
一种制作晶体管和半导体器件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110083546.4, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2012-10-17
作者:  尹海洲;  骆志炯;  朱慧珑
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/03/16
半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110265073.X, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2013-03-27
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/03/09
一种半导体结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110166549.4, 申请日期: 2016-02-17, 公开日期: 2012-12-26
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/03/07
受控横向刻蚀方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110281364.8, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2013-04-03
作者:  骆志炯;  朱慧珑;  尹海洲
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/03/03
一种半导体结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110298318.9, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-10
作者:  尹海洲;  朱慧珑;  骆志炯
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/03/07
一种半导体结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110297623.6, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-10
作者:  尹海洲;  朱慧珑;  骆志炯
  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/03/07
一种双鳍型半导体结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110306988.0, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-17
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/03/09
一种半导体结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110053301.7, 申请日期: 2015-09-30, 公开日期: 2012-09-05
作者:  骆志炯;  尹海洲;  蒋葳;  朱慧珑
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/03/07
半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110254187.4, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2013-03-06
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/03/07