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西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2005 [1]
1998 [4]
1994 [3]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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第III族氮化物半導體發光元件及其製造方法
专利
OAI收割
专利号: TWI240429B, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2005-09-21
作者:
渡邊溫
;
高橋宏和
;
木村義則
;
宮地護
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提交时间:2019/12/26
導波路型半導体光素子および光通信システム
专利
OAI收割
专利号: JP1998221553A, 申请日期: 1998-08-21, 公开日期: 1998-08-21
作者:
高橋 誠
;
青木 雅博
;
佐藤 宏
;
辻 伸二
;
魚見 和久
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提交时间:2020/01/18
導波路型半導体光素子および光通信システム
专利
OAI收割
专利号: JP1998221554A, 申请日期: 1998-08-21, 公开日期: 1998-08-21
作者:
高橋 誠
;
青木 雅博
;
佐藤 宏
;
辻 伸二
;
魚見 和久
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998144996A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
作者:
須山 尚宏
;
近藤 雅文
;
佐々木 和明
;
高橋 向星
;
細田 昌宏
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2763781B2, 申请日期: 1998-03-27, 公开日期: 1998-06-11
作者:
須山 尚宏
;
近藤 雅文
;
佐々木 和明
;
高橋 向星
;
細田 昌宏
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提交时间:2020/01/13
発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994302859A, 申请日期: 1994-10-28, 公开日期: 1994-10-28
作者:
大川 和宏
;
高橋 康仁
;
成沢 忠
;
三露 恒男
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994056909B2, 申请日期: 1994-07-27, 公开日期: 1994-07-27
作者:
須山 尚宏
;
近藤 雅文
;
佐々木 和明
;
細田 昌宏
;
高橋 向星
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994056910B2, 申请日期: 1994-07-27, 公开日期: 1994-07-27
作者:
須山 尚宏
;
近藤 雅文
;
佐々木 和明
;
細田 昌宏
;
高橋 向星
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提交时间:2020/01/18