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半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2010109215A, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13
作者:  鶴岡 清貴;  加藤 友章;  佐藤 健二;  須藤 信也;  岡本 健志
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半導体光集積素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2009038120A, 申请日期: 2009-02-19, 公开日期: 2009-02-19
作者:  鶴岡 清貴;  工藤 耕治;  須藤 信也
  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000138418A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
作者:  鶴岡 清貴
  |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザとその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3001390B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
作者:  鶴岡 清貴
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2996221B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 1999-12-27
作者:  鶴岡 清貴
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999017273A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者:  鶴岡 清貴;  鈴木 尚文
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18