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• 西安光学精密机械研究... [5]

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• 2013 [1]
• 2011 [3]
• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件 专利  OAI收割 专利号: TW201312886A, 申请日期: 2013-03-16, 公开日期: 2013-03-16 作者:  住友隆道;  京野孝史;  上野昌紀;  善積祐介;  鹽谷陽平   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件、製作第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板 专利  OAI收割 专利号: TW201134040A, 申请日期: 2011-10-01, 公开日期: 2011-10-01 作者:  善積祐介;  鹽谷陽平;  京野孝史;  住友隆道;  嵯峨宣弘   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/01/18 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體 专利  OAI收割 专利号: TW201117501A, 申请日期: 2011-05-16, 公开日期: 2011-05-16 作者:  秋田勝史;  鹽谷陽平;  京野孝史;  足立真寬;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化鎵系半導體雷射二極體 专利  OAI收割 专利号: TW201115869A, 申请日期: 2011-05-01, 公开日期: 2011-05-01 作者:  住友隆道;  鹽谷陽平;  善積祐介;  上野昌紀;  秋田勝史   |  收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2020/01/18 ＩＩＩ族氮化物半導體雷射、及ＩＩＩ族氮化物半導體雷射之製作方法 专利  OAI收割 专利号: TW201034325A, 申请日期: 2010-09-16, 公开日期: 2010-09-16 作者:  藤井慧;  上野昌紀;  秋田勝史;  京野孝史;  善積祐介   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/18