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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

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第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件 专利  OAI收割
专利号: TW201312886A, 申请日期: 2013-03-16, 公开日期: 2013-03-16
作者:  住友隆道;  京野孝史;  上野昌紀;  善積祐介;  鹽谷陽平
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第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件、製作第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板 专利  OAI收割
专利号: TW201134040A, 申请日期: 2011-10-01, 公开日期: 2011-10-01
作者:  善積祐介;  鹽谷陽平;  京野孝史;  住友隆道;  嵯峨宣弘
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第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體 专利  OAI收割
专利号: TW201117501A, 申请日期: 2011-05-16, 公开日期: 2011-05-16
作者:  秋田勝史;  鹽谷陽平;  京野孝史;  足立真寬;  德山慎司
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氮化鎵系半導體雷射二極體 专利  OAI收割
专利号: TW201115869A, 申请日期: 2011-05-01, 公开日期: 2011-05-01
作者:  住友隆道;  鹽谷陽平;  善積祐介;  上野昌紀;  秋田勝史
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ＩＩＩ族氮化物半導體雷射、及ＩＩＩ族氮化物半導體雷射之製作方法 专利  OAI收割
专利号: TW201034325A, 申请日期: 2010-09-16, 公开日期: 2010-09-16
作者:  
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