机构

• 半导体研究所 [7]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2006 [4]
• 2003 [1]
• 2002 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Probing deep level centers in gan epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of au/gan schottky contacts 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Wang, R. X.;  Xu, S. J.;  Shi, S. L.;  Beling, C. D.;  Fung, S. 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-gan schottky contacts 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Wang, R. X.;  Xu, S. J.;  Djurisic, A. B.;  Beling, C. D.;  Cheung, C. K. 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Djurisic AB (Djurisic A. B.); Beling CD (Beling C. D.); Cheung CK (Cheung C. K.); Cheung CH (Cheung C. H.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  N-TYPE GAN  ELECTRICAL-PROPERTIES  BIAS LEAKAGE  DIODES  OXYGEN   Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Shi SL (Shi S. L.); Beling CD (Beling C. D.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 DISLOCATIONS  DEGRADATION   Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: 3004-3010 X. D. Chen; S. Fung; C. C. Ling; C. D. Beling; M. Gong 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/14 6h silicon-carbide  positron-annihilation  defect centers   Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of Semi-Insulating InP 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 1041-1045 Zhao Youwen; Luo Yilin; Feng Hanyuan; Beling C D; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23 Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 455-458 Zhao Youwen; Sun Niefeng; S. Fung; C. D. Beling; Sun Tongnian; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 1-5 Zhao Youwen; Luo Yilin; Sun Niefeng; S Fung; Beling C D; Sun Tongnian; Lin Lanyin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23