机构

• 半导体研究所 [8]
• 高能物理研究所 [2]
• 金属研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [9]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2006 [2]
• 2002 [3]
• 2001 [2]
• 1999 [1]
• 1998 [2]
• 1995 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [3]
• 光电子学 [2]
• Materials ... [1]
• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Djurisic AB (Djurisic A. B.); Beling CD (Beling C. D.); Cheung CK (Cheung C. K.); Cheung CH (Cheung C. H.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  N-TYPE GAN  ELECTRICAL-PROPERTIES  BIAS LEAKAGE  DIODES  OXYGEN   Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Shi SL (Shi S. L.); Beling CD (Beling C. D.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 DISLOCATIONS  DEGRADATION   Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped gasb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 21, 页码: 3934-3936 作者:  Ling, CC;  Mui, WK;  Lam, CH;  Beling, CD;  Fung, S 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 80, 期号: 21, 页码: 3934-3936 作者:  Ling, CC;  Mui, WK;  Lam, CH;  Beling, CD;  Fung, S   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 21, 页码: 3934-3936 Ling CC; Mui WK; Lam CH; Beling CD; Fung S; Lui MK; Cheah KW; Li KF; Zhao YW; Gong M 收藏  |  浏览/下载：99/9  |  提交时间：2010/08/12 ANTIMONIDE   Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-gan 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134 作者:  Xu, XL;  Liu, HT;  Shi, CS 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134 Xu XL; Liu HT; Shi CS; Zhao YW; Fung S; Beling CD 收藏  |  浏览/下载：131/15  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING DIODES  GALLIUM NITRIDE  YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON  PHOTOLUMINESCENCE  EPILAYERS  VACANCIES  INTERFACE  MECHANISM  ENERGY   Positron beam study of low-temperature-grown GaAs with aluminum delta layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1999, 卷号: 149, 页码: 159-164 作者:  Fleischer, S;  Hu, YF;  Beling, CD;  Fung, S;  Smith, TL   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/05/31 positron beam  low-temperature-grown GaAs  aluminum delta layers   Compensation ratio-dependent concentration of a vinh4 complex in n-type liquid encapsulated czochralski inp 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277 作者:  Fung, S;  Zhao, YW;  Beling, CD;  Xu, XL;  Gong, M 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277 Fung S; Zhao YW; Beling CD; Xu XL; Gong M; Sun NF; Sun TN; Chen XD; Zhang RG; Liu SL; Yang GY; Qian JJ; Sun MF; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTORS  HYDROGEN  DEFECTS  MECHANISM