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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2017 [3]
2014 [1]
2012 [2]
2009 [2]
学科主题
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共8条,第1-8条
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Optical device structure using GaN substrates for laser applications
专利
OAI收割
专利号: US9722398, 申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01
作者:
RARING, JAMES W.
;
FEEZELL, DANIEL F.
;
PFISTER, NICHOLAS J.
;
SHARMA, RAJAT
;
SCHMIDT, MATHEW C.
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提交时间:2019/12/24
Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser
专利
OAI收割
专利号: US9640947, 申请日期: 2017-05-02, 公开日期: 2017-05-02
作者:
HOLDER, CASEY O.
;
FEEZELL, DANIEL F.
;
DENBAARS, STEVEN P.
;
SPECK, JAMES S.
;
NAKAMURA, SHUJI
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提交时间:2019/12/26
Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser
专利
OAI收割
专利号: US9640947, 申请日期: 2017-05-02, 公开日期: 2017-05-02
作者:
HOLDER, CASEY O.
;
FEEZELL, DANIEL F.
;
DENBAARS, STEVEN P.
;
SPECK, JAMES S.
;
NAKAMURA, SHUJI
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提交时间:2019/12/26
Integrated laser diodes with quality facets on GaN substrates
专利
OAI收割
专利号: US8767787, 申请日期: 2014-07-01, 公开日期: 2014-07-01
作者:
RARING, JAMES W.
;
FEEZELL, DANIEL F.
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提交时间:2019/12/24
Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates
专利
OAI收割
专利号: US8259769, 申请日期: 2012-09-04, 公开日期: 2012-09-04
作者:
RARING, JAMES W.
;
FEEZELL, DANIEL F.
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提交时间:2019/12/26
Al(x)Ga(1-x)N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes and light emitting diodes
专利
OAI收割
专利号: US8211723, 申请日期: 2012-07-03, 公开日期: 2012-07-03
作者:
FEEZELL, DANIEL F.
;
SCHMIDT, MATHEW C.
;
KIM, KWANG-CHOONG
;
FARRELL, ROBERT M.
;
COHEN, DANIEL A.
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提交时间:2019/12/24
Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser
专利
OAI收割
专利号: US7480322, 申请日期: 2009-01-20, 公开日期: 2009-01-20
作者:
FEEZELL, DANIEL F.
;
COHEN, DANIEL A.
;
FARRELL, ROBERT M.
;
ISHIDA, MASAHIRO
;
NAKAMURA, SHUJI
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提交时间:2019/12/26
Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser
专利
OAI收割
专利号: US7480322, 申请日期: 2009-01-20, 公开日期: 2009-01-20
作者:
FEEZELL, DANIEL F.
;
COHEN, DANIEL A.
;
FARRELL, ROBERT M.
;
ISHIDA, MASAHIRO
;
NAKAMURA, SHUJI
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提交时间:2019/12/26