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Optical device structure using GaN substrates for laser applications 专利  OAI收割
专利号: US9722398, 申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01
作者:  
RARING, JAMES W.;  FEEZELL, DANIEL F.;  PFISTER, NICHOLAS J.;  SHARMA, RAJAT;  SCHMIDT, MATHEW C.
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Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser 专利  OAI收割
专利号: US9640947, 申请日期: 2017-05-02, 公开日期: 2017-05-02
作者:  
HOLDER, CASEY O.;  FEEZELL, DANIEL F.;  DENBAARS, STEVEN P.;  SPECK, JAMES S.;  NAKAMURA, SHUJI
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Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser 专利  OAI收割
专利号: US9640947, 申请日期: 2017-05-02, 公开日期: 2017-05-02
作者:  
HOLDER, CASEY O.;  FEEZELL, DANIEL F.;  DENBAARS, STEVEN P.;  SPECK, JAMES S.;  NAKAMURA, SHUJI
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/26
Integrated laser diodes with quality facets on GaN substrates 专利  OAI收割
专利号: US8767787, 申请日期: 2014-07-01, 公开日期: 2014-07-01
作者:  
RARING, JAMES W.;  FEEZELL, DANIEL F.
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/24
Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates 专利  OAI收割
专利号: US8259769, 申请日期: 2012-09-04, 公开日期: 2012-09-04
作者:  
RARING, JAMES W.;  FEEZELL, DANIEL F.
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Al(x)Ga(1-x)N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes and light emitting diodes 专利  OAI收割
专利号: US8211723, 申请日期: 2012-07-03, 公开日期: 2012-07-03
作者:  
FEEZELL, DANIEL F.;  SCHMIDT, MATHEW C.;  KIM, KWANG-CHOONG;  FARRELL, ROBERT M.;  COHEN, DANIEL A.
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Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser 专利  OAI收割
专利号: US7480322, 申请日期: 2009-01-20, 公开日期: 2009-01-20
作者:  
FEEZELL, DANIEL F.;  COHEN, DANIEL A.;  FARRELL, ROBERT M.;  ISHIDA, MASAHIRO;  NAKAMURA, SHUJI
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/26
Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser 专利  OAI收割
专利号: US7480322, 申请日期: 2009-01-20, 公开日期: 2009-01-20
作者:  
FEEZELL, DANIEL F.;  COHEN, DANIEL A.;  FARRELL, ROBERT M.;  ISHIDA, MASAHIRO;  NAKAMURA, SHUJI
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