机构

• 西安光学精密机械研究... [5]
• 国家天文台 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [5]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2001 [1]
• 1999 [4]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Anomalous deformation of the Earth's bow shock in the lunar wake: Joint measurement by Chang'E-1 and SELENE 期刊论文  OAI收割 PLANETARY AND SPACE SCIENCE, 2011, 卷号: 59, 期号: 5-6, 页码: 378-386 作者:  Nishino, Masaki N.;  Wang, Xiao-Dong;  Fujimoto, Masaki;  Tsunakawa, Hideo;  Saito, Yoshifumi 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/04/20 Bow shock  Solar wind-Moon interaction  Lunar wake  Multi-spacecraft measurement   Semiconductor laser using gallium nitride series compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: US6252894, 申请日期: 2001-06-26, 公开日期: 2001-06-26 作者:  SASANUMA, KATSUNOBU;  SAITO, SHINJI;  HATAKOSHI, GENICHI;  ITAYA, KAZUHIKO;  ONOMURA, MASAAKI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor light-emitting diode having a p-type semiconductor layer formed on a light-emitting layer 专利  OAI收割 专利号: US5998810, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07 作者:  HATANO, AKO;  OHBA, YASUO;  FUJIMOTO, HIDETOSHI;  ITAYA, KAZUHIKO;  NISHIO, JOHJI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of separating semiconductor devices 专利  OAI收割 专利号: US5994205, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  YAMAMOTO, MASAHIRO;  FUJIMOTO, HIDETOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US5987048, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16 作者:  ISHIKAWA, MASAYUKI;  YAMAMOTO, MASAHIRO;  NUNOUE, SHINYA;  NISHIO, JOHJI;  HATAKOSHI, GENICHI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US5966396, 申请日期: 1999-10-12, 公开日期: 1999-10-12 作者:  OKAZAKI, HARUHIKO;  FUJIMOTO, HIDETOSHI;  ISHIKAWA, MASAYUKI;  NUNOUE, SHINYA;  HATAKOSHI, GENICHI   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18