中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共7条,第1-7条 帮助

条数/页: 排序方式:
Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2012, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 445-544
作者:  
Klionsky, Daniel J.;  Abdalla, Fabio C.;  Abeliovich, Hagai;  Abraham, Robert T.;  Acevedo-Arozena, Abraham
  |  收藏  |  
Semiconductor light emitting device applied with semiconductor light waveguide 专利  OAI收割
专利号: JP1980033095A, 申请日期: 1980-03-08, 公开日期: 1980-03-08
作者:  
KAWAGUCHI HITOSHI;  FURUKAWA YOSHITAKA
  |  收藏  |  
Single transverse mode operation in double heterostructure junction laser 专利  OAI收割
专利号: CA1072666A, 申请日期: 1980-02-26, 公开日期: 1980-02-26
作者:  
KAWAGUCHI HITOSHI;  FURUKAWA YOSHITAKA
  |  收藏  |  
Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method 专利  OAI收割
专利号: JP1977141187A, 申请日期: 1977-11-25, 公开日期: 1977-11-25
作者:  
TAKANASHI YOSHIFUMI;  HORIKOSHI YOSHIHARU;  FURUKAWA YOSHITAKA
  |  收藏  |  
Liquiddphase epitaxial growth method 专利  OAI收割
专利号: JP1977032669A, 申请日期: 1977-03-12, 公开日期: 1977-03-12
作者:  
KOBAYASHI TAKESHI;  TAKAHASHI SHINICHI;  FURUKAWA YOSHITAKA
  |  收藏  |  
Light emitting diode 专利  OAI收割
专利号: JP1976142283A, 申请日期: 1976-12-07, 公开日期: 1976-12-07
作者:  
SEKI YASUO;  FURUKAWA YOSHITAKA
  |  收藏  |  
Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base 专利  OAI收割
专利号: JP1976114067A, 公开日期: 1976-10-07
作者:  
HORIKOSHI YOSHIHARU;  FURUKAWA YOSHITAKA
  |  收藏  |