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• 西安光学精密机械研究... [5]

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• 2018 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Sermiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: EP2270875B1, 申请日期: 2018-01-10, 公开日期: 2018-01-10 作者:  BADER, STEFAN;  HAHN, BERTHOLD;  HÄRLE, VOLKER;  LUGAUER, HANS-JÜRGEN;  MUNDBROD-VANGEROW, MANFRED   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Method for producing a semiconductor element 专利  OAI收割 专利号: US7588998, 申请日期: 2009-09-15, 公开日期: 2009-09-15 作者:  FEHRER, MICHAEL;  HAHN, BERTHOLD;  HARLE, VOLKER;  KAISER, STEPHAN;  OTTE, FRANK   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/23 Ingan-based light-emitting diode chip and a method for the production thereof 专利  OAI收割 专利号: US7375377, 申请日期: 2008-05-20, 公开日期: 2008-05-20 作者:  BAUR, JOHANNES;  BRUDERL, GEORG;  HAHN, BERTHOLD;  HARLE, VOLKER;  STRAUSS, UWE   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/24 Radiation-emitting semiconductor component based on gallium nitride, and method for fabricating the semiconductor component 专利  OAI收割 专利号: US20030218181A1, 公开日期: 2003-11-27 作者:  BADER, STEFAN;  HAHN, BERTHOLD;  HRLE, VOLKER;  LUGAUER, HANS-JURGEN   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for fabricating a light-emitting device based on a gallium nitride-based compound semiconductor, and light-emitting device based on a gallium nitride-based compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: US20040152226A1, 公开日期: 2004-08-05 作者:  HAHN, BERTHOLD;  HANGLEITER, ANDREAS;  HARLE, VOLKER   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26