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机构
西安光学精密机械研究... [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [6]
发表日期
2013 [1]
2012 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2002 [1]
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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Nitride semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: US8437376, 申请日期: 2013-05-07, 公开日期: 2013-05-07
作者:
YOSHIDA, SHINJI
;
ORITA, KENJI
;
HASEGAWA, YOSHIAKI
;
MOCHIDA, ATSUNORI
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser apparatus
专利
OAI收割
专利号: US8130805, 申请日期: 2012-03-06, 公开日期: 2012-03-06
作者:
MURASAWA, SATOSHI
;
TAKAYAMA, TORU
;
HASEGAWA, YOSHIAKI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser and method for fabricating the same
专利
OAI收割
专利号: US7738525, 申请日期: 2010-06-15, 公开日期: 2010-06-15
作者:
UEDA, DAISUKE
;
YURI, MASAAKI
;
HASEGAWA, YOSHIAKI
;
MATSUDA, KENICHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor Laser Device and Method for Fabricating Same
专利
OAI收割
专利号: US20080049800A1, 申请日期: 2008-02-28, 公开日期: 2008-02-28
作者:
HASEGAWA, YOSHIAKI
;
YOKOGAWA, TOSHIYA
;
YAJIMA, HIROYOSHI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US6466597, 申请日期: 2002-10-15, 公开日期: 2002-10-15
作者:
KUME, MASAHIRO
;
BAN, YUZABURO
;
HARAFUJI, KENJI
;
KIDOGUCHI, ISAO
;
KAMIYAMA, SATOSHI
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提交时间:2020/01/13
Method for producing semiconductor and semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US20010008285A1, 公开日期: 2001-07-19
作者:
TSUJIMURA, AYUMU
;
HASEGAWA, YOSHIAKI
;
ISHIBASHI, AKIHIKO
;
KIDOGUCHI, ISAO
;
BAN, YUZABURO
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提交时间:2019/12/26