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机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2014 [1]
2013 [1]
2011 [1]
1997 [1]
1991 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共5条，第1-5条
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Group-III nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US8908732, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
作者:
UENO, MASAKI
;
KATAYAMA, KOJI
;
IKEGAMI, TAKATOSHI
;
NAKAMURA, TAKAO
;
YANASHIMA, KATSUNORI
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浏览/下载：19/0
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提交时间：2019/12/26
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US8594145, 申请日期: 2013-11-26, 公开日期: 2013-11-26
作者:
TAKAGI, SHIMPEI
;
YOSHIZUMI, YUSUKE
;
KATAYAMA, KOJI
;
UENO, MASAKI
;
IKEGAMI, TAKATOSHI
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收藏
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浏览/下载：24/0
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提交时间：2020/01/13
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US7933303, 申请日期: 2011-04-26, 公开日期: 2011-04-26
作者:
YOSHIZUMI, YUSUKE
;
ENYA, YOHEI
;
KYONO, TAKASHI
;
ADACHI, MASAHIRO
;
AKITA, KATSUSHI
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浏览/下载：20/0
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提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser with a self sustained pulsation
专利
OAI收割
专利号: US5610096, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:
YODOSHI, KEIICHI
;
IBARAKI, AKIRA
;
SHONO, MASAYUKI
;
HONDA, SHOJI
;
IKEGAMI, TAKATOSHI
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浏览/下载：24/0
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提交时间：2019/12/26
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1991071687A, 申请日期: 1991-03-27, 公开日期: 1991-03-27
作者:
YOSHITOSHI KEIICHI
;
IKEGAMI TAKATOSHI
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2020/01/18
