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• 近代物理研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2019 [2]
• 2018 [1]
• 2017 [3]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7 作者:  Ji, Qinggang;  Liu, Jie;  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Ye, Bing   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/11/10 Ferroelectric random access memory  Total ionizing dose  Single event effect  TCAD simulation   Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86 作者:  Hou, Mingdong;  Zhao, Peixiong   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2018/05/31 Annealing  Flash memories  Heavy ions  Multiple cell upsets  Radiation effects   A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文  OAI收割 作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2018/08/20 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 437-442 作者:  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi;  Khan, Maaz   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/05/31 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator