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• 西安光学精密机械研究... [6]

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内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 1984 [2]
• 1983 [4]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ohmic electrode forming method in compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: JP1984107510A, 申请日期: 1984-06-21, 公开日期: 1984-06-21 作者:  MORI MITSUHIRO;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  SAITOU KATSUTOSHI;  IMAI KUNINORI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 P-side ohmic electrode for compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: JP1984011675A, 申请日期: 1984-01-21, 公开日期: 1984-01-21 作者:  MORI MITSUHIRO;  SAITOU KATSUTOSHI;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  CHIBA KATSUNUMA   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1983108784A, 申请日期: 1983-06-28, 公开日期: 1983-06-28 作者:  KOBAYASHI MASAYOSHI;  MORI MITSUHIRO;  TSUJI SHINJI;  SAITOU KATSUTOSHI;  CHIBA KATSUAKI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1983091692A, 申请日期: 1983-05-31, 公开日期: 1983-05-31 作者:  SATOU NOBU;  MORI MITSUHIRO;  KOBAYASHI MASAYOSHI;  KATOU HIROSHI;  KOBAYASHI MASAMICHI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 Interlayer bonding method in 3-dimensional element 专利  OAI收割 专利号: JP1983086764A, 申请日期: 1983-05-24, 公开日期: 1983-05-24 作者:  KATOU TAKAAKI;  ITAKURA HIDEAKI;  KOYAMA HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1983077259A, 申请日期: 1983-05-10, 公开日期: 1983-05-10 作者:  SAITOU KATSUTOSHI;  MORI MITSUHIRO;  MORI TAKAO;  SATOU NOBU;  KOBAYASHI MASAYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13