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• 西安光学精密机械研究... [5]

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• 专利 [5]

发表日期

• 2011 [1]
• 2005 [1]
• 1997 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30 作者:  KOIDE, NORIKATSU;  KATO, HISAKI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser device and fabrication method thereof 专利  OAI收割 专利号: US6888867, 申请日期: 2005-05-03, 公开日期: 2005-05-03 作者:  SAWAKI, NOBUHIKO;  HONDA, YOSHIO;  KAMESHIRO, NORIFUMI;  YAMAGUCHI, MASAHITO;  KOIDE, NORIKATSU   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 Method of manufacturing a semiconductor device that uses a sapphire substrate 专利  OAI收割 专利号: US5627109, 申请日期: 1997-05-06, 公开日期: 1997-05-06 作者:  SASSA, MICHINARI;  KOIDE, NORIKATSU   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Group III nitride compound semiconductor laser diode and method for producing same 专利  OAI收割 专利号: US5604763, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18 作者:  KATO, HISAKI;  KOIDE, NORIKATSU;  KOIKE, MASAYOSHI;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: US20040079958A1, 公开日期: 2004-04-29 作者:  KOIDE, NORIKATSU   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26