机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2005 [2]
• 2004 [2]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 InP based long wavelength VCSEL 专利  OAI收割 专利号: US7433381, 申请日期: 2008-10-07, 公开日期: 2008-10-07 作者:  WANG, TZU-YU;  KWON, HOKI;  RYOU, JAE-HYUN;  PARK, GYOUNGWON;  KIM, JIN K.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/24 Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 专利  OAI收割 专利号: US7286584, 申请日期: 2007-10-23, 公开日期: 2007-10-23 作者:  WANG, TZU-YU;  KIM, JIN K.;  KWON, HOKI;  PARK, GYOUNGWON;  RYOU, JAE-HYUN   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26 DBR using the combination of II-VI and III-V materials for the application to 3-55 mum 专利  OAI收割 专利号: US20050243887A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03 作者:  KWON, HOKI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 专利  OAI收割 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03 作者:  KWON, HOKI;  WANG, TZU-YU;  RYOU, JAE-HYUN;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 GaAs/AL(Ga)As distributed bragg reflector on InP 专利  OAI收割 专利号: US6822995, 申请日期: 2004-11-23, 公开日期: 2004-11-23 作者:  KWON, HOKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Material system for Bragg reflectors in long wavelength VCSELs 专利  OAI收割 专利号: US20040120375A1, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24 作者:  KWON, HOKI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18